ウエハスクライブ装置

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ウエハスクライブ装置

ウエハスクライブ装置

  • スクライブ
  • 切断
  • Si
  • SiC
  • サファイア
  • ガラス

特徴
・UVレーザーを利用したウエハスクライブに特化した専用装置
・保護膜の成膜、洗浄、スクライブ後のブレーキングなどオプション多数
・8inchまでのウエハに対応

用途
・GaAs、Siなど半導体基板のスクライブ、割断

スペック
発振器 UVレーザー
ウエハサイズ ≦8 inch
加工速度 最大600mm/s
加工深さ 基板素材に依存
オプション 保護膜成膜、洗浄ユニット
ブレーキングユニット
エキスパンドユニット

工程説明(Arial)

工程説明

工程説明

GaAsのスクライブ

Siウエハのスクライブ品質

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株式会社デルファイレーザージャパン

03-5735-0532

平日 9:00~17:00

〒144-0042東京都大田区羽田旭町2-1 コーピアス旭町1F

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