ウエハスクライブ装置
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ウエハスクライブ装置
ウエハスクライブ装置
特徴
・UVレーザーを利用したウエハスクライブに特化した専用装置
・保護膜の成膜、洗浄、スクライブ後のブレーキングなどオプション多数
・8inchまでのウエハに対応
用途
・GaAs、Siなど半導体基板のスクライブ、割断
| 発振器 | UVレーザー |
|---|---|
| ウエハサイズ | ≦8 inch |
| 加工速度 | 最大600mm/s |
| 加工深さ | 基板素材に依存 |
| オプション | 保護膜成膜、洗浄ユニット ブレーキングユニット エキスパンドユニット |
工程説明(Arial)

工程説明

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GaAsのスクライブ

Siウエハのスクライブ品質

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株式会社デルファイレーザージャパン